二氧化硅与硅之间完美的界面特性，其在电子元件制造中具有很多用途，请把下面二氧化硅用途示意图与相应文字说明连起来。

热氧化过程中杂质再分布情况比较复杂，常见的杂质在Si/SiO2界面再分布主要有四种情况，请把四种分布情况的示意图与其对应的特征说明连起来：

密度是SiO2致密度的标志。密度大，致密程度高，SiO2密度大于Si的密度，Si变成SiO2后体积会收缩。

A. 对
B. 错

SiO2熔点与其类型有关。其为石英晶体结构时，有固定熔点1732℃；为非晶态结构时SiO2无固定熔点，只有软化点1500℃，且与致密度和参杂有关。

A. 对
B. 错

氧化剂分压增大，线性氧化系数和抛物线氧化系数同时增大，氧化速率增加。根据此现象发明了高压水汽氧化技术。

A. 对
B. 错

轻掺杂衬底比重掺杂氧化速率大。一般低浓度时明显，由于掺杂浓度的不同会造成硅片表面氧化层厚度出现差异，并形成新的台阶。

A. 对
B. 错

由于杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同，热氧化时，将引起Si/SiO2界面杂质的再分布。一般情况下，按杂质在SiO2中扩散速率的快慢又分为快扩散杂质和慢扩散杂质。

A. 对
B. 错

电荷击穿特性指击穿由电荷在氧化层中的积累而造成。

A. 对
B. 错

界面陷阱电荷由SiO2/Si界面处氧化过程引起的未饱和键及SiO2和Si不连续性引起，数量约1010/cm2，其能量位于硅的禁带中。一般采用低温（400℃左右）氢退火及选用<100>晶向去除。

A. 对
B. 错

在栅氧化层厚度缩小到50Å后，需要发展替代的栅介质层材料，如氮氧化硅、高K介质材料等。

A. 对
B. 错