题目内容

GTR采用集成电路工艺将许多单元并联而成。

A. 对
B. 错

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GTR在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。

A. 对
B. 错

GTR击穿电压只和晶体管本身特性有关，与外电路接法无关。

A. 对
B. 错

实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。

A. 对
B. 错

集电极最大允许电流在实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的1/3或稍多一点。

A. 对
B. 错