题目内容

在杂质半导体中多子的数量与( )有关。

A. 掺杂浓度
B. 温度
C. 掺杂工艺
D. 晶体缺陷

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当温度升高时,少子的数量( )。

A. 减少
B. 不变
C. 增多
D. 变为零

硅管和锗管的死区电压分别为( )。

A. 0.5V、0.1V
B. 0.7V、0.1V
C. 0.7V、0.2V
D. 0.5V、0.2V

如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结为反向偏置,则此管的工作状态为( )。

A. 放大
B. 饱和
C. 截止
D. 击穿

当共发射极放大电路输出端开路(未接RL)时,负载电阻愈小,放大倍数( )。

A. 越大
B. 愈小
C. 不变
D. 趋近于0