题目内容

17．三极管超过以下所示哪个极限参数时，必定被损坏【】

A. 集电极最大允许电流ICM
B. 集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO
C. 集电极最大允许耗散功率PCM
D. 管子的电流放大倍数

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18．三极管工作于放大状态的条件【】

A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏

19．三极管工作在饱和状态时，其偏置应为【】

A. 发射结零偏，集电结反偏
B. 发射结正偏，集电结正偏
C. 发射结正偏，集电结反偏
D. 发射结反偏，集电结反偏

2.当PN结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。

3.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。