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不需要定时刷新的半导体存储器芯片是()

A. SRAM
B. DRAM
C. EPROM
D. FlashMemory

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下列关于多体交叉存储器的描述中,正确的是()

A. 通过并行访问提高存储系统的访问速率
B. 通过增加数据总线的位数提高存储系统访问速率
C. 通过提高存储单体的速率提高存储系统的访问速率
D. 实现对不同存储单体数据的并行访问对数据的分布有要求

下列关于TLB、cache和虚存页(Page)命中组合情况中,一次访存过程中可能发生的是()

A. TLB命中、cache命中、Page命中
B. TLB未命中、cache命中、Page命中
C. TLB未命中、cache未命中、Page命中
D. TLB未命中、cache命中、Page未命中

某计算机按字节编址,数据按整数边界存放,可通过设置使其采用小端方式或大端方式,有一个float型变量的地址为FFFFC000H,数据X=12345678H,无论采用大端还是小段方式,在内存单元FFFFC001H,一定不会存放的数是()

A. 12H
B. 34H
C. 56H
D. 78H

设存储字长为64位,对char变量长度为8位,数据存储按整数边界对齐,关于char变量j在主存中地址的下列描述中正确的是()

A. j的物理地址mod8=0
B. j的物理地址mod8=1
C. j的物理地址mod8=2
D. j的物理地址mod8=3

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