题目内容

硅衬底表面晶向对氧化速度影响的规律有

A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响
B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响
C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响
D. 表面原子密度越低，氧化速率越大，即<100>大于<111>

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

膜密度越高，腐蚀速率越低，普通热生长SiO2在缓冲HF溶液中的腐蚀速率约为

A. 1400Å/min
B. 800Å/min
C. 1000Å/min
D. 1200Å/min

查看答案

热氧化硅的介电强度大约为

A. 10MV/cm
B. 12MV/cm
C. 14MV/cm
D. 16MV/cm

查看答案

Si/SiO2中的电荷影响器件的性能和可靠性。会造成MOS器件抑制电压不稳定现象。

A. 可动离子电荷
B. 氧化层固定电荷
C. 氧化层陷阱电荷
D. 界面陷阱电荷

查看答案

掺氯氧化可使氧化物缺陷密度显著减少，但温度低于1000℃时，氯的钝化效果差。一般的栅氧化工艺采取两步氧化法：

A. 800℃~900℃，N2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，O2+HCl退火。
B. 800℃~900℃，O2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，N2+HCl退火。
C. 800℃~900℃，O2H+HCl氧化；升温到1000~1100℃，N2+HCl退火。
D. 800℃~900℃，N2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，O2H+HCl退火。

查看答案

硅衬底表面晶向对氧化速度影响的规律有

A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响 B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响 C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响 D. 表面原子密度越低，氧化速率越大，即<100>大于<111>

膜密度越高，腐蚀速率越低，普通热生长SiO2在缓冲HF溶液中的腐蚀速率约为

热氧化硅的介电强度大约为

Si/SiO2中的电荷影响器件的性能和可靠性。会造成MOS器件抑制电压不稳定现象。

掺氯氧化可使氧化物缺陷密度显著减少，但温度低于1000℃时，氯的钝化效果差。 一般的栅氧化工艺采取两步氧化法：

A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响
B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响
C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响
D. 表面原子密度越低，氧化速率越大，即<100>大于<111>

掺氯氧化可使氧化物缺陷密度显著减少，但温度低于1000℃时，氯的钝化效果差。一般的栅氧化工艺采取两步氧化法：