在半导体上外加与电流方向____的磁场,会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的____而在不同方向上聚集,在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场。

电场力与洛伦兹力产生平衡之后,不再聚集,此时电场将会使后来的电子和空穴受到____的作用而平衡掉磁场对其产生的____,使得后来的电子和空穴顺利通过不会偏移。

霍尔效应实验中,当Is与Im都为正值时,霍尔电压Vh为正则为____型半导体,为负是____型。

在半导体中掺入____杂质就得N型半导体,在半导体中掺入____杂质就得P型半导体。

半导体材料内的载流子直接影响到霍尔效应的强弱,P型半导体的载流子是____,N型半导体的载流子是____。由于____的迁移率较高,____型半导体更适合制做霍尔器件。

霍尔效应实验中,霍尔电压产生的电场与工作电流方向和磁场方向____

为了减少和消除负效应引起的附加电势差,利用这些附加电势差与霍尔元件控制(工作)电流Is,磁场B(既相应的励磁电流Im)的关系,采用____测量法进行测量。

霍尔效应实验中,霍尔元件的灵敏度可以通过霍尔电压-工作电流图像的____求出。

霍尔元件厚度d愈薄,Kh愈高,所以制作时,厚度愈薄愈好。____

通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的( )等重要参数。

A. 导电类型;
B. 载流子浓度;
C. 载流子迁移率