题目内容

以下常用于a-SiO2晶体生长的方法是: 。

A.气相法
B.溶液法
C.水热法
D.熔盐法

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水热釜是水热生长单晶体的关键设备,在制作和使用时应考虑的主要条件不包括: 。

A.制作材料
B.形状
C.密封结构
D.耐酸碱性

热稳定性差的难溶晶体一般采用的液相生长方法是：。

A. 降温法
B. 流动法
C. 凝胶法
D. 蒸发法

溶解度曲线上温度系数为负值的材料可以采用的水溶液晶体生长方法是：。

A. 降温法
B. 蒸发法
C. 流动法
D. 凝胶法

以下可以用来生长酒石酸钙单晶的水溶液方法是：。

A. 降温法
B. 流动法
C. 蒸发法
D. 凝胶法