题目内容

由于采用了（），电力电子器件比信息电子器件具有更高的耐压水平。

A. 垂直导电结构
B. 水平导电结构
C. 低掺杂N区
D. 高掺杂N区

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

A. MOSFET、IGBT，输入阻抗大、驱动功率小
B. 晶闸管、IGBT，输入阻抗大、驱动功率小
C. MOSFET、IGBT，输入阻抗小、驱动功率小
D. 晶闸管、IGBT，输入阻抗小、驱动功率大

A. 全控器件，开通关断均可控
B. 半控器件，开通可控关断不可控
C. 半控器件，开通不可控关断可控
D. 不可控器件，开通关断均不可控

A. 一般而言，MOSFET比IGBT耐压水平更高、单管功率更低
B. 一般而言，MOSFET比IGBT耐压水平更低、单管功率更高
C. 一般而言，MOSFET比IGBT耐压水平更低、开关频率更高
D. 一般而言，MOSFET比IGBT通流能力更强、开关频率更高。

A. 宽禁带材料包括硅、碳化硅、氮化镓等
B. 宽禁带器件工作频率比硅器件低
C. 宽禁带器件功耗比硅器件高
D. 宽禁带器件耐高温能力比硅器件更强