试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ,场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。
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试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区,且ID=0.5 mA,VDS=-1.5 V,VG=2 V。已知μpCoxW/(2l)=0.5 mA/V2,VGS(th)=-1 V,设λ=0。
某项资产的账面价值小于其计税基础,或者某项负债的账面价值大于其计税基础,将产生()。
A. 应纳税暂时陛差异
B. 可抵扣暂时性差异
C. 应纳税永久性差异
D. 可抵扣永久性差异