题目内容

N型半导体的载流子说法正确的一项是

A. 内部的载流子只有空穴。
B. 内部的载流子只有自由电子。
C. 内部的载流子是空穴和自由电子,且自由电子比空穴多,自由电子是由于本征激发产生的。
D. 内部的载流子是空穴和自由电子,且自由电子比空穴多,自由电子是由于参与5阶杂质和本征激发产生的,空穴是由本征激发产生的。

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由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量自由电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

A. 对
B. 错

在N型半导体中,掺入高浓度的3阶杂质,可以变成P型半导体。

A. 对
B. 错

半导体一般具有()()()三个特性

A. 光敏性
B. 热敏性
C. 掺杂性
D. 压敏性

Lesson 7 Blank-filling listen and fill in the blanks with missing wordsPIL: Wuhan Ground, CSN356,1CTL: CSN 356, taxi to the holding point of runway 36R via taxiway A2 and A.PIL: taxi to the (2) _______of runway 36R via taxiway (3) ________ .CTL: CSN 356, due to______4____ on taxiway A2, use taxiway A3, the (5) ________ unchanged.PIL: Taxiway A3 and A, CSN356.CTL: CSN 356, correct.CTL: CSN356, taxi with caution,6 on the left side of taxiway A.PIL: Roger, thanks, CSN356.CTL: CSN 356, hold position 原地不动, give way 让 to an Airbus 330 vacating from 7_____ (4号出口).PIL:8, traffic in sight CSN356.CTL: CSN 356, traffic is clear, continue taxi.PIL: Continue taxi, CSN 356.CTL: CSN 356, expedite taxi, traffic taxiing behind.PIL: 9 , CSN356.CTL: CSN 356, hold at the holding point of runway 36R, contact tower 124.35, goodday.PIL: (10) _____, 124.35 CSN356

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