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2.当PN结正向偏置时,耗尽层将,反向偏置时空间电荷区将。

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3.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于,少子的浓度受的影响很大。

4.二极管的反向电流是由载流子形成,其大小有关,而外电场(有/无关)。

5.引起PN结击穿的机理一般认为有两种,即击穿和击穿

6.PN结之间存在着两种电容,分别为电容和电容。

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