题目内容

理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( )

A. 越小越大
B. 越大越小
C. 越大越大
D. 越小越小

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增强型的PMOS阈值电压大于0,且当栅压大于阈值电压时导通

A. 对
B. 错

受衬底偏置效应的影响，MOS管的阈值电压会变大

A. 对
B. 错

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