CCD中的噪声主要来源包括:
A. 由于电荷注人器件引起的散粒噪声
B. 电荷转移过程中由于转移损失及界面态对信号电荷的俘获和释放引起的转移噪声
C. 输出电路带来的噪声
D. 1/f噪声
CCD器件动态范围被定义为CCD像元的饱和输出电压与其在暗场下的峰一峰噪声电压的比值。饱和输出电压决定于势阱中可存储的最大电荷量;峰一峰噪声电压由噪声电荷决定。
A. 对
B. 错
势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”,而表面势的大小近似与栅压成正比。势阱填满是指电子在半导体表面堆积后使表面势下降。
A. 对
B. 错
CCD驱动脉冲频率太高,热激发少数载流子过多,从而降低了输出信号的信噪比;频率太低,又会降低总转移效率,减小了输出信号幅值,同样会降低信噪比。
A. 对
B. 错