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主存储器的性能指标主要是、、存储周期和存储器带宽

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动态半导体存储器的刷新一般有①、②和③三种方式

动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在，因此需要定期的不断地以为单位进行，

双端口存储器和多体交叉存储器属于①存储器结构。前者采用②技术，后者采用③技术

有一个4体交叉存储器，但使用时经常遇到连续访问同一存储体的情况，会产生结果