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增强型MOS场效应管由于预先在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。

A. 对
B. 错

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场效应管的参数gm与静态工作点无关。

A. 对
B. 错

耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。

A. 对
B. 错

场效应管一个重要的特点就是具有特别高的输入电阻。

A. 对
B. 错

场效应管不存在电容效应。

A. 对
B. 错