热氧化过程中杂质再分布情况比较复杂，常见的杂质在Si/SiO2界面再分布主要有四种情况，请把四种分布情况的示意图与其对应的特征说明连起来：
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密度是SiO2致密度的标志。密度大，致密程度高，SiO2密度大于Si的密度，Si变成SiO2后体积会收缩。
A. 对
B. 错
SiO2熔点与其类型有关。其为石英晶体结构时，有固定熔点1732℃；为非晶态结构时SiO2无固定熔点，只有软化点1500℃，且与致密度和参杂有关。
A. 对
B. 错
氧化剂分压增大，线性氧化系数和抛物线氧化系数同时增大，氧化速率增加。根据此现象发明了高压水汽氧化技术。
A. 对
B. 错
轻掺杂衬底比重掺杂氧化速率大。一般低浓度时明显，由于掺杂浓度的不同会造成硅片表面氧化层厚度出现差异，并形成新的台阶。
A. 对
B. 错
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