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下面关于PN结表述正确的是（）

A. 在不加外部电压时，PN结的空间电荷区中始终存在扩散和漂移，并且两者最终会达到动态平衡。
B. 在施加足够大的外部正向电压时，PN结的空间电荷区中只存在扩散不存在漂移。
C. 在施加足够大的外部正向电压时，PN结的空间电荷区变薄乃至消失。
D. 在施加外部反向电压时，PN结的空间电荷区变厚，此时只有少数载流子参与漂移运动。

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A. P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
B. N型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
C. P型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
D. N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

A. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿
B. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿
C. 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿
D. 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生

A. PN结的击穿有电击穿和热击穿两种
B. 电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿，电击穿可恢复
C. 电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿，电击穿不可恢复
D. 热击穿是因高温破坏了PN结内部的晶体结构，热击穿不可恢复

A. PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。
B. 当PN结反偏时，其结电容主为势垒电容。
C. 当PN结正向导通后，其结电容主要为扩散电容。
D. 由于结电容的存在，当加在PN结两端电压的变化频率足够大小，PN结将失去单向导电性。