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离子注入时，避免沟道效应的措施有。

A. 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度
B. 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化
C. 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层
D. 降低靶的温度。

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离子注入系统组成包括离子源、质量分析器、加速器、中性束偏移器、聚焦系统、偏转扫描系统、工作室，下面对各组成描述正确的是

A. 离子源用于离化杂质的容器，常用的杂质源气体有BF3、AsH3、PH3等。离子源有两种离子体型离子源和液态金属离子源，其中等离子体型离子源常用于聚焦方式。
B. 液态金属离子源所用液态金属应具有低熔点低蒸汽压、能与钨针充分均匀地浸润，且与容器及钨针不发生任何反应。
C. 质量分析器指根据离子的质量和电荷在质量分析器磁场中的偏转角度不同，分离出所需的杂质离子束。
D. 加速器指使用高压静电场对离子束加速，是决定离子注入深度的重要参量。

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离子束可根据能量不同，可用于掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、打孔、切割等。其中离子注入所需能量为。

A. E<10 KeV
B. E=10～5O KeV
C. E>5O KeV

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main()主程序里的第一个函数SystemInit()，这个函数的功能是？

A. 系统GPIO的初始化
B. 系统硬件的好坏监测
C. 系统时钟的初始化
D. 系统定时器的初始化

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RCC_APB2PeriphClockCmd( LED1_GPIO_CLK | LED2_GPIO_CLK | LED3_GPIO_CLK, ENABLE);这个函数的功能是？

A. 配置LED1，LED2，LED3三个IO口的管脚为输入
B. 配置LED1，LED2，LED3三个IO口的管脚为输出
C. 使能LED1，LED2，LED3三个IO口的时钟
D. 使能LED1，LED2，LED3三个IO口的外设

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离子注入时，避免沟道效应的措施有。

A. 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度 B. 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化 C. 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层 D. 降低靶的温度。

离子注入系统组成包括离子源、质量分析器、加速器、中性束偏移器、聚焦系统、偏转扫描系统、工作室，下面对各组成描述正确的是

离子束可根据能量不同，可用于掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、打孔、切割等。其中离子注入所需能量为。

main()主程序里的第一个函数SystemInit()，这个函数的功能是？

RCC_APB2PeriphClockCmd( LED1_GPIO_CLK | LED2_GPIO_CLK | LED3_GPIO_CLK, ENABLE);这个函数的功能是？

A. 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度
B. 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化
C. 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层
D. 降低靶的温度。