题目内容

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有()

A. 额定整流电流
B. 额定负荷电流
C. 额定反峰电压
D. 额定工作电压

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高压试验时,()是指对电气设备绝缘状况的检查试验

A. 直流电阻试验
B. 绝缘试验
C. 功率试验
D. 特性试验

某高压试验场进行高压试验,在均匀电场中当气体的压力过于稀薄,密度大小,以下的分析正确的为()

A. 电子不容易与气体分子碰撞,自由行程增加,动能积聚增多,容易使分子电离,击穿电压会降低
B. 电子极易与气体分子碰撞,平均每两程增加,动能积聚增,致使电子积聚的动能不足,间隙不易击穿,击穿电压会升高。
C. 碰撞次数太少,击穿电压会升高
D. 电子不容易与气体分子碰撞,但自由行程增加, 动能积聚增多,击穿电压不变

产生高压的半波整流电路由()构成。

A. 升压试验变压器T
B. 高压硅堆V
C. 滤波电容C
D. 保护电阻R

高压试验中,绝缘试验可以分为非破坏性试验和()

A. 直流电阻试验
B. 直流泄露电流测试试验
C. 功率试验
D. 破坏性试验

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