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IGBT是复合型电力电子器件,为输入级, 为输出级。

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电力电子装置中电气隔离方法有和 。

电力电子系统内因过电压主要有 和 。

使Power MOSFET开通的栅射极间驱动电压一般取 ,关断一般在控制端和公共端加 的负偏压结块关断过程减小关断损耗。(注:填写格式为**~**V)

描述非正弦交流电总体畸变程度的性能指标是 ,描述直流电压相对波动情况的性能指标是 。(注意:填文字,不要填变量符号)

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