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N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关。

A. 对
B. 错

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若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压大于零，则其输入电阻会明显变小。

A. 对
B. 错

增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流必为零。

A. 对
B. 错

自给偏压放大电路中，源极电阻的作用是提供负栅偏压。

A. 对
B. 错

FET的微变等效模型中，从输入端口看入，G、S之间相当于开路。

A. 对
B. 错