欲将图8-4中运放输出的双端输出信号(对地存在较高的共模电压)变成单端输出信号,应选用( ).运放电路。
A. 反相加法
B. 同相
C. 减法差动
D. 积分
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某霍尔电流传感器的额定匝数比为1/1000,额定电流值IPN为300A,被测电流母线直接穿过铁心,测得二次电流IS为0.15A,则被测电流为( )A。
A. 0.15
B. 45
C. 0.15×10_3
D. 150
金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁____中,磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时,在垂直于电____和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现象称为____,上述半导体薄片称为霍尔____。
流入霍尔元件激励电流端的电流I越大,作用在薄片上的磁感应强度B越强,霍尔电动势也就越____。霍尔电动势EH可用下式表示:EH=KHIBcosθ。式中的θ是磁感应强度B与霍尔元件平面的____线夹角。
霍尔元件的输入电阻R i的数值从几十欧到几百____。温度升高,输入电阻____,会引起霍尔电动势的____漂,因此霍尔元件必须用____流源提供激励电流。