题目内容

下列半导体中，禁带宽度Eg最小的是（）

A. Si
B. Ge
C. GaAs
D. GaN

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受主杂质电离后向半导体提供（）

A. 空穴
B. 电子
C. 质子
D. 离子

室温下，半导体Si中掺有浓度为1.1×1015cm－3的磷，则空穴浓度约为（）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3）

A. 1014cm-3
B. 1015cm-3
C. 1010cm-3
D. 105cm-3

纯净Si半导体中，下列哪种杂质掺入不能形成P型半导体（）

A. B
B. Ga
C. In
D. As

在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（）移动

A. Ev
B. Ec
C. Ei
D. EF