题目内容

N沟道场效应管的漏极电流由（）的漂移运动形成。

A. 电子
B. 负离子
C. 正离子
D. 空穴

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小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。

A. 对
B. 错

设MOS管的VTN=1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS=3V，VGS=2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

A. 对
B. 错

MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。

A. 对
B. 错

MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

A. 对
B. 错