题目内容

若形成PN结的原始衬底材料的掺杂浓度越低，则该PN结反偏时所对应的空间电荷区宽度就越宽。

A. 对
B. 错

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MOS管属于电压控制型器件，在导电的过程中多子和少子同时参与导电。

A. 对
B. 错

半导体材料的掺杂浓度越高，电阻率越低。

A. 对
B. 错

N型半导体的费米能级越靠近导带底，说明半导体的掺杂浓度越高。

A. 对
B. 错

若是N型Si衬底的MOS结构，当其栅极施加正偏压时，半导体表面附近会形成一层电子积累层。

A. 对
B. 错