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17.场效应管从结构上分成和两大类型，它属于控制型器件。

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18.耗尽型N沟道MOS管的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压UGS叫做。

反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压UGS为(正值、负值、零)

2．P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

A. 对
B. 错

3．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

A. 对
B. 错