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为什么在多体交叉存储器中，按地址低位来选体而不用地址高位来选体？

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动态随机存储器（DRAM)和同步动态随机存储器（SDRAM)有何主要差别？

假设芯片内部工作的时钟频率为200MHz，如何计算DDR存储器和DDR3存储器的数据传输率？又CL值表示什么概念？

对于SRAM芯片，如果片选信号始终是有效的，问：（1)若读控制信号有效后，地址仍在变化，或数据线上有其他电路送来的信号，问对读出有什么影响？有什么其他问题？（2)若写控制信号有效后，地址仍在变化，或写入数据仍不稳定，对写入有什么影响？有什么其他问题？

有一个512K×16位的存储器，由64K×1位的2164RAM芯片构成（芯片内是4个128×128结构)，问：（1)总共需要多少个RAM芯片？（2)采用分散刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号的周期是多少？（3)如采用集中刷新方式，设读／写周期T=0.1μs，存储器刷新一遍最少用多少时间？