题目内容

半导体材料的掺杂浓度越高，迁移率越低

A. 对
B. 错

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一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的

A. 对
B. 错

P型半导体不可以转变为N型半导体

A. 对
B. 错

已知有一PN+结，通过降低NA，可以增大势垒区电容

A. 对
B. 错

正向偏压增大时，扩散电容减小

A. 对
B. 错