题目内容

IGBT比VDMOSFET多一层注入区,因而形成了大面积的P+N结()

A. P-
B. P+
C. N-
D. N+

查看答案
更多问题

SS4型电力机车架修时,TGZ4A-4×1680/1020型整流装置中主整流管和主晶闸管测试电压URRM(UDRM)为3000V时,断态(反向)重复峰值电流不大于(室温条件下)()

A. 45mA
B. 50mA
C. 55mA
D. 60mA

SS4型电力机车中修时,TGZ35A-4×1700/1020型整流装置中主桥、小桥元件URRM(UDRM)为3000V时,断态(反向)重复峰值电流不大于(25℃)()

A. 45mA
B. 50mA
C. 80mA
D. 90mA

密集母线产品内不应存在连续空间,要避免形成“烟囱效应”()

为落实团的十八大工作部署,树立__的鲜明导向,推动团的组织力明显提升,不断增强团的政治性、先进性、群众性,更好地发挥党的助手和后备军作用。()

A. 政治
B. 组织
C. 基层
D. 基础

答案查题题库