题目内容

下列（）器件存在二次击穿问题。

A. GTO
B. GTR
C. 电力MOSFET
D. IGBT

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当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先并后串的方法联接。（）

A. 对
B. 错

可以不用过电压、过电流保护，选用较高电压等级与较大电流等级的晶闸管。（）

A. 对
B. 错

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