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关于SRAM叙述不正确的是( )。

A. 相对集成度低
B. 相对速度快
C. 不需要外部刷新电路
D. 地址线行列复用

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关于DRAM叙述不正确的是( )。

A. 相对集成度高
B. 可读写存储器
C. 不需要外部刷新电路
D. 地址线行列复用

下列只读存储器中,可紫外线擦除数据的是( )。

A. PROM
B. EPROM
C. EP2ROM
D. Flash Memry

下列只读存储器中,仅能写入一次数据的是( )。

A. PROM
B. EPROM
C. EP2ROM
D. Flash Memry

可擦除ROM在数据被擦除后,存储单元中的值为0。

A. 对
B. 错