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半导体功函数是指()

A. 导带底电子变成真空中自由电子所需最低能量
B. 价带顶电子变成真空中自由电子所需最低能量
C. 真空中自由电子最低能级与半导体本征费米能级之差
D. 真空中自由电子最低能级与半导体费米能级之差

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在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()。

A. In(Wm=3.8eV)
B. Cr(Wm=4.6eV)
C. Au(Wm=4.8eV)
D. Al(Wm=4.2eV)

空穴的本质

PN结势垒电容

如金属和一n型半导体形成金属-半导体接触,请简述在什么条件下,形成的哪两种不同电学特性的接触,说明半导体表面的能带情况,并画出对应的I-V曲线。(忽略表面态的影响)

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