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平衡PN结形成过程中,电子在自建电场作用漂移向N区

A. 对
B. 错

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以N-Si为衬底的理想MOS结构中,积累状态时所加的栅电压应该是负的

A. 对
B. 错

低浓度的基区会降低晶体管的电流放大性能

A. 对
B. 错

PN+结通过降低NA,可以提高击穿电压

A. 对
B. 错

向衬底材料中掺金可以提高二极管的开关速度

A. 对
B. 错

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