以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0
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对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,当VG>VT时,半导体表面为()状态
MOS结构的阈值电压对应的是半导体表面恰好达到反型的栅电压
A. 对
B. 错
N型半导体的功函数肯定比P型半导体的功函数小
A. 对
B. 错
关于MOS电容,以下说法正确的是
A. MOS电容是固定电容
B. MOS电容就是MOS栅氧化层电容
C. 不论在高频还是低频信号作用,MOS电容的特性都是一样的
D. 可以利用MOS电容的C-U特性,来监测半导体表面及SiO2制造过程中受沾污的程度。
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