填隙式扩散指杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位，在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。空位可以自身存在，也可以由杂质原子进入产生。
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替位式扩散指间隙杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。速度大于填隙式扩散。
A. 对
B. 错
对于不同的杂质，其扩散方式不同，下面对元素扩散叙述错误的有
A. B、P、As等ⅢA和ⅤA族元素具有电活性，在硅中有较高的固溶度，多以填隙式方式进行扩散，扩撒速度慢，属于慢扩散杂质。
B. Na、K、Li等ⅠA和ⅧA族元素通常无电活性，多以替位式方式进行扩散，扩撒速度快。
C. Au、Cu、Ni等大多数过渡元素，常以填隙-替位式进行扩散，电活性杂质位于替位，无电活性杂质位于间隙位置。
杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有
A. 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。
B. 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结
C. 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。
D. 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
在16位的PC机上使用C语言，若有如下定义：struct data{int i;char ch;double f;} b;则结构变量b占用内存的字节数是（）。
A. 1
B. 2
C. 8
D. 11
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