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P-Sub的理想MOS结构在耗尽时,半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子,此时半导体表面可以导电

A. 对
B. 错

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已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

A. 对
B. 错

二元函数中,全增量和全微分是同一个概念

A. 对
B. 错

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