在杨氏双缝干涉实验中，整个装置的结构不变，全部由空气中浸入水中，则干涉条纹的间距将变________
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N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
A. 负离子
B. 电子
C. 电子和空穴
D. 正离子
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。
A. 负值
B. 正值
C. 零
D. 不确定
设增强型MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
A. 对
B. 错
场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。
A. 对
B. 错
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