由于杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同，热氧化时，将引起Si/SiO2界面杂质的再分布。一般情况下，按杂质在SiO2中扩散速率的快慢又分为快扩散杂质和慢扩散杂质。
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电荷击穿特性指击穿由电荷在氧化层中的积累而造成。
A. 对
B. 错
界面陷阱电荷由SiO2/Si界面处氧化过程引起的未饱和键及SiO2和Si不连续性引起，数量约1010/cm2，其能量位于硅的禁带中。一般采用低温（400℃左右）氢退火及选用<100>晶向去除。
A. 对
B. 错
在栅氧化层厚度缩小到50Å后，需要发展替代的栅介质层材料，如氮氧化硅、高K介质材料等。
A. 对
B. 错
机械加工工艺规程的格式有（）
A. 工艺过程卡
B. 工艺卡
C. 工序卡
D. 检验卡
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