在计算机中以DRAM组成的存储器，要求其进行读／写操作的来源有哪些？如果它们同时发出访问请求该如何处理？
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按本章第20题所述的次序访问交叉存储器是否一定能使平均访问速率提高到单体存储器的4倍？
假如CPU按以下地址相继访问存储器（以十进制表示)：000010，000510，001010，…，028510存储器为4体交错存储器，求该存储器比单体存储器平均访向速率提高多少？
在计算机的主存中，常常设置一定的ROM区，试说明设置ROM区的目的。
为什么DRAM芯片的地址一般要分两次接收？今有容量为1GB的芯片，当其内部结构各为1G×1位或256M×4位时，其引出端有何不同？
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