设n体交叉编址(低位交叉)存储器中每个体的存储字长等于数据总线宽度，每个体存取一个字的存取周期为T，总线传输周期为t，T与t的关系以及读取地址连续的n个字需要的时间分别是()。
A. T=t，T+n×t
B. T=(n一1)×t，T+n×t
C. T=n×t，T+n×t
D. T=n×t，T+(n一1)×t
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双端口存储器在()发生访问冲突。
A. 左端口与右端口同时被访问的情况下会
B. 同时访问左端口与右端口的地址码不同的情况下
C. 同时访问左端口与右端口的地址码相同的情况下
D. 任何情况下都不
下列关于存储器的论述中，不正确的是()。
A. 半导体存储器都具有易失性，掉电后信息丢失
B. 常用的PROM是通过将内部的熔丝烧断来编程，出厂时存储内容为全“0”
C. 擦除EPROM的方法是用紫外线照射
D. 双端口存储器具有两套“MAR+MDR+R／W+CE”
组成4M×8位的主存，若选用1M×4位的存储芯片，需()片，该主存的地址总线至少是()位。其中，()位用于片选，()位用于片内寻址。
A. 8，20，2，20
B. 16，21，4，18
C. 8，22，2，20
D. 16，23，4，18
某计算机中已配有00000H—07FFFH的ROM区，地址线为20位，现在再用16K×8位的RAM芯片构成剩下的RAM区08000H～FFFFFH，则需要这样的RAM芯片()片。
A. 61
B. 62
C. 63
D. 64
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