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硅管和锗管的死区电压分别为( )。

A. 0.5V、0.1V
B. 0.7V、0.1V
C. 0.7V、0.2V
D. 0.5V、0.2V

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如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结为反向偏置,则此管的工作状态为( )。

A. 放大
B. 饱和
C. 截止
D. 击穿

当共发射极放大电路输出端开路(未接RL)时,负载电阻愈小,放大倍数( )。

A. 越大
B. 愈小
C. 不变
D. 趋近于0

三极管最大耗散功率PCM是集电极消耗功率的最大限额,与( )参数有关。

A. IC
B. UCE
C. IC 和UCE DUB

把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化,等效为一个线性元件,等效为( )。

A. 晶体管的B、E之间可用rbe等效代替
B. 晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=bib等效代替
C. 均可等效为两个电阻
D. 晶体管的B、
E. 之间可用rbe等效代替, 晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=bib等效代替

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