A. 使内电场增强 B. 使空间电荷区加宽 C. 使漂移容易进行 D. 使扩散容易进行
A. B、C、E B. C、B、E C. E、C、B D. C、E B
A. PNP型锗三极管 B. NPN型硅三极管 C. PNP型硅三极管 D. NPN型锗三极管
A. 空间电荷区变窄,加剧了漂移运动 B. 空间电荷区变宽,减弱了漂移运动 C. 空间电荷区变窄,加剧了扩散运动 D. 空间电荷区变宽,减弱了扩散运动
A. P沟道JFET B. 增强型NMOS管 C. 耗尽型NMOS管 D. 耗尽型PMOS管
A. 多子、多子 B. 多子和少子、少子 C. 少子、少子 D. 多子和少子、多子