下面说法正确的是（）

A. 空穴是一种真实存在的微观粒子
B. MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D. 同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高

半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（）

A. 散射机构；
B. 复合机构；
C. 杂质浓度梯度；
D. 表面复合速度。

简述PN结反向击穿的原理（雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿）

写出半导体的电中性方程，此方程在半导体中有何重要意义？

MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。

A. 相同
B. 不同
C. 无关

与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）

A. 比绝缘体的大
B. 比绝缘体的小
C. 和绝缘体的相同

如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？

为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？

试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。

请解释什么是肖特基势垒二极管，并说明其与pn结二极管的异同。