试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。

一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。

什么叫杂质补偿，什么叫高度补偿的半导体，杂质补偿有何实际应用。

N型半导体的费米能级在本征费米能之上。

A. 正确
B. 错误

对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。

A. 上移
B. 下移
C. 不变

两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。

不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。

A. In（Wm=3.8eV）
B. Cr（Wm=4.6eV）
C. Au（Wm=4.8eV）
D. Al（Wm=4.2eV）

当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）

A. 1/n0
B. 1/△n
C. 1/p0
D. 1/△

间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。