A. 等效密度密度靶中所填异物的个数。 B. 等效密度密度靶中所填异物的大小。 C. 等效密度密度靶中所填异物的形状。 D. 等效密度密度靶中所填异物的密度。
A. 对 B. 错
A. 向下凹的区间,表示密度增大。 B. 向上凸的区间,表示密度增大。 C. 尖顶区间可能为圆柱体物体。 D. 平底区间可能为长方体物体。
A. 26.4 keV B. 59.54 keV C. 662 keV D. 1250 keV
A. S形 B. 倒S形 C. Z形 D. V形
A. 全能峰法 B. 特散比法 C. 吸收法 D. 散射法
A. 物料上表面经过放射源与探测器中心连线的位置。 B. 拐点有两个,上下各一个。 C. 拐点采用一阶导数等于0的解析方法可求出。 D. 拐点的计数率变化最大。