A. 电压门控K+通道 B. 电压门控Na+通道 C. 电压门控Ca2+通道 D. 化学门控Ca2+通道 E. 化学门控Na+通道
A. 传到末梢的动作电位幅度 B. 末梢膜电位的水平 C. 末梢内线粒体的数量 D. 末梢内囊泡的数量 E. 进入末梢内的Ca2+量
A. 动作电位时程延长 B. Ca2+内流减少 C. K+外流减慢 D. Ca2+通道通透性增加 E. Cl-内流增加
A. Ca2+与钙调蛋白结合为Ca2+-CaM 复合物 B. Ca2+-CaM 依赖的蛋白激酶Ⅱ被激活 C. 活化的Ca2+-CaM K Ⅱ可使突触蛋白发生磷酸化 D. Ca2+能降低轴浆粘度 E. 突触囊泡以出胞的形式释放其所含的递质
A. Ca2+-CaM 复合物的形成 B. Ca2+-CaM 依赖的蛋白激酶Ⅱ的激活 C. 突触蛋白的磷酸化 D. 突触结合蛋白的变构 E. 囊泡蛋白的磷酸化
A. 动员 B. 摆渡 C. 着位 D. 融合 E. 入胞
A. 即突触后神经元处于兴奋状态 B. 经一中间神经元的中介而产生 C. 由突触后膜K+电导增加而产生 D. 由突触后膜Ca2+电导增加而产生 E. 可随突触前兴奋性递质释放增多而加大
A. 由突触前末梢递质释放减少而产生 B. 使突触后膜电位远离阈电位水平 C. 由突触后膜Na+电导增加而产生 D. 由突触后膜Ca2+电导增加而产生 E. 是一种去极化抑制的突触后电位
A. 突触后膜局部去极化 B. 递质使后膜对离子通透性改变所致 C. 为“全或无”式电位改变 D. 后膜对Na+离子通透性增加 E. 可总和在轴突始段爆发动作电位
A. EPSP传导至此处时因总和而幅度最大 B. 电压门控钠通道高密度表达在始段 C. 此处的细胞膜静息电位最低 D. 此处缺乏钾通道 E. 此处无髓鞘包绕
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