某SRAM芯片，其容量为1M×8位，除电源和接地端外，控制端有E和R/W#，该芯片的管脚引出线数目是（ ）。

A. 32
B. 28
C. 30
D. 20

某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是（ ）。

A. 1M
B. 256K
C. 56K
D. 128KB

主存贮器和CPU之间增加cache的目的是（ ）

A. 扩大主存贮器容量
B. 解决CPU和主存之间的速度匹配问题
C. 既扩大主存贮器容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量
D. 扩大CPU中通用寄存器的数量

双端口存储器之所以能进行高速读/写操作，是因为采用（ ）

A. 两套相互独立的读写电路
B. 流水技术
C. 高速芯片
D. 新型器件

某单片机字长32位，其存储容量为4MB。若按字编址，它的寻址范围是（ ）。

A. 4MB
B. 1MB
C. 1M
D. 4M

高级的DRAM芯片增强了基本DRAM的功能，存取周期缩短至20ns以下。举出三种高级DRAM芯片，它们是

广泛使用的 和动态随机存储器都是半导体随机读写存储器。前者的速度比后者快，但集成度不如后者高。静态随机存储器 SRAM 动态随机存储器 DRAM

虚拟存储器分为页式、段式、式三种。

在虚存系统中，通常采用页表保护、段表保护和键保护方法实现保护。

主存储器的技术指标有，，，存储器带宽。