下列不属于霍尔元件基本特性参数的是（ ）

A. 不等位电势
B. 不等位电阻
C. 寄生直流电动势
D. 零点残余电压

霍尔元件不等位电势（或零位电势）产生的原因主要有（）

A. 霍尔电极安装位置不对称
B. 霍尔电极安装位置不在同一等电位面上
C. 霍尔片电阻率不均匀
D. 霍尔片几何尺寸不均匀
E. 控制电流极接触不良造成控制电流不均匀分布

霍尔效应中，霍尔电动势与（）

A. 灵敏度成反比
B. 灵敏度成正比
C. 霍尔元件的厚度成反比
D. 霍尔元件的厚度成正比

霍尔效应中，霍尔电势与（）

A. 激励电流成正比
B. 激励电流成反比
C. 磁感应强度成正比
D. 磁感应强度成反比

霍尔传感器是基于__________将被测量（如电流、磁场、位移、压力、转速等）转换为电动势输出的一种传感器。

一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片），当有电流流过时，电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累，而前端面缺少电子，因此后端面带_____电，前端面带_____电，在前后端面形成电场，该电场产生的力阻止电子继续偏转；当两力相平衡时，电子积累也平衡，这时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电场，相应的电势称为________。

绝缘体和金属导体不存在霍尔效应，一般霍尔元件应采用半导体材料。

A. 对
B. 错