请列举3种以上的常用热氧化方法？为了提高氧化质量和氧化速度一般常采用哪种氧化工艺，请列出并简单说明原因？

二氧化硅基本结构单元是

A. 正三面体
B. 三面体
C. 正四面体
D. 四面体

二氧化硅存在晶态和非晶态。其中晶态是指氧原子都是桥联氧原子；非晶态是指氧原子多数是非桥联氧原子。热氧化生成的二氧化硅是

A. 晶态
B. 桥联氧原子多
C. 非桥联氧原子多
D. 桥联氧原子和非桥联氧原子各占一半

哪种氧化方法获得的氧化膜质量最好，但氧化速度较慢

A. 水汽氧化
B. 湿氧氧化
C. 干氧氧化
D. 氢氧燃烧氧化

哪种氧化方法获得氧化膜质量最差，但氧化速度较快

A. 干氧氧化
B. 水汽氧化
C. 湿氧氧化
D. 氢氧燃烧氧化

下面对氧化速率叙述正确的是

A. 氧化速率与氧化时间成线性比例
B. 氧化速率与氧化时间成抛物线比例
C. 氧化速率的大小等于气体扩散速率、固体扩散速率和化学反应速率三者速率之和
D. 氧化速率与氧化时间有时成线性比例，有时成抛物线比例

氧化温度对氧化速率的影响规律有

A. 温度越高，线性氧化系数增大，抛物线氧化系数不变，氧化速率增大。
B. 温度越高，抛物线氧化系数增大，线性氧化系数不变，氧化速率增大。
C. 温度越高，线性氧化系数和抛物线氧化系数都增大，氧化速率增大。
D. 温度越高，线性氧化系数和抛物线氧化系数都减小，氧化速率增大。

硅衬底表面晶向对氧化速度影响的规律有

A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响
B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响
C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响
D. 表面原子密度越低，氧化速率越大，即<100>大于<111>

膜密度越高，腐蚀速率越低，普通热生长SiO2在缓冲HF溶液中的腐蚀速率约为

A. 1400Å/min
B. 800Å/min
C. 1000Å/min
D. 1200Å/min

热氧化硅的介电强度大约为

A. 10MV/cm
B. 12MV/cm
C. 14MV/cm
D. 16MV/cm